A principios de 2020, se informó de que Samsung había logrado construir sus primeros prototipos de 3nm con una producción en masa prevista para comenzar en 2021. Ahora, parece que Samsung se ve obligado a retrasar el lanzamiento de la fabricación del nuevo nodo de proceso hasta el 2022, según se informa.
Se dice que los retrasos se deben al coronavirus, que ha obstaculizado la capacidad de Samsung para cumplir con la instalación programada de equipos para las nuevas líneas de producción.
Samsung tiene el objetivo de convertirse en el principal fabricante de silicio del mundo para el 2030, y quiere vencer a TSMC en la carrera hacia los 3 nm. Dado que Taiwán ha estado manejando el brote bastante bien, esta carrera podría haberse vuelto un poco más emocionante. El volumen de producción de 3nm de TSMC está programado para comenzar en 2022 también.
El trabajo que Samsung está haciendo en el espacio de 3 nm se basa en la tecnología GAAFET en lugar de FinFET. El nuevo diseño incluye puertas alrededor del canal, lo que reduce las fugas de energía y, por lo tanto, mejora el control sobre el canal. Este cambio de diseño es lo que permitió a Samsung tener éxito tan pronto con sus prototipos de 3nm, posiblemente convirtiéndolo en el primer fabricante de silicio en llegar a este pequeño nodo de proceso si TSMC no se adelanta.
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