3D NAND QLC, Intel construye 10 millones de unidades de estado sólido

La semana pasada, el grupo de memoria y almacenamiento de Intel produjo la unidad de estado sólido (SSD) QLC 3D NAND número 10 millones basada en el troquel NAND QLC construido en Dalian, China.

Intel construye 10 millones de unidades de estado sólido 3D NAND QLC

La producción comenzó a finales de 2018, y este hito establece a QLC (memoria celular de nivel cuádruple) como una tecnología principal para unidades de alta capacidad.

«Muchos han hablado de la tecnología QLC, pero Intel la ha enviado, y a escala», dijo Dave Lundell, director de Planificación Estratégica de SSD para Clientes y Marketing de Productos de Intel. «Hemos visto una fuerte demanda de la capacidad rentable de nuestro SSD QLC autónomo (Intel SSD 660p) y el rendimiento de nuestra solución Intel Optane Technology + QLC (Intel Optane Memory H10)».

Debajo se resumen algunos de los logros de las unidades 3D NAND QLC obtenidos en los últimos tiempos por Intel.

• Intel QLC 3D NAND se utiliza en las soluciones de almacenamiento Intel SSD 660p, Intel SSD 665p e Intel Optane Memory H10.
• La unidad QLC de Intel tiene 4 bits por celda y almacena datos en configuraciones NAND de 64 y 96 capas.
• Intel ha estado desarrollando esta tecnología durante la última década. En 2016, los ingenieros de Intel cambiaron la orientación de la ya probada tecnología de puerta flotante (FG) a vertical y la envolvieron en una estructura de puerta completa. La tecnología resultante de nivel tricelular (TLC) podría almacenar 384 Gb/die. En 2018, el flash 3D QLC se hizo realidad, con 64 capas con cuatro bits por celda, capaces de almacenar 1.024 Gb/die. En 2019 Intel pasó a 96 capas, reduciendo la densidad de área total.

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QLC es ahora parte del portafolio general de almacenamiento de Intel, que incluye tanto productos para clientes como para centros de datos.

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