Micron comienza la producción de memorias DDR4 de 16Gb clase 1z

Micron anunció que ha comenzado la producción en serie de sus módulos DDR4 RAM de 16 Gb utilizando el nodo de proceso 1z, que actualmente es el nodo de proceso más pequeño de la industria. Micron es la primera empresa de DRAM que fabrica productos RAM DDR4 de 16 Gb clase 1z, y cree que esto le permitirá ofrecer «soluciones de alto valor en una amplia gama de aplicaciones para el cliente final».

Micron comienza la producción de memorias DDR4 de 16Gb clase 1z

El nodo de proceso de 1z para 16Gb DDR4 ofrece una densidad de bits mucho mayor junto con un ligero aumento de rendimiento y un coste inferior en comparación con la generación anterior de nodos de proceso 1Y. El nuevo nodo también permite una reducción del 40% en el consumo de energía en comparación con las generaciones anteriores de módulos DDR4 RAM de 8 Gb.

El nuevo nodo de proceso ofrece una mayor flexibilidad para que los nuevos productos DDR4 se utilicen en una amplia gama de aplicaciones, incluyendo inteligencia artificial, vehículos autónomos, 5G, dispositivos móviles, gráficos, juegos, infraestructura de red y servidores. Sin embargo, Micron parece dar prioridad a los clientes de centros de datos que siempre buscan un mayor rendimiento, consumo de energía y un menor coste.

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Micron también anunció que había comenzado los envíos en volumen de la DRAM 4X (LPDDR4X) con doble velocidad de datos monolítica de 16 Gb de baja potencia y la más alta capacidad de la industria en paquetes multichip basados en UFS (uMCP4). Los productos 1z nm LPDDR4X y uMCP4 se dirigen principalmente a las empresas de teléfonos inteligentes que buscan una mejor duración de la batería y componentes más pequeños para poner en sus dispositivos.

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Samsung, el principal competidor de Micron en el mercado de DRAM, anunció la primavera pasada que comenzaría la producción de módulos DDR4 de 1z nm y 8Gb en la segunda mitad de este año, en preparación para el lanzamiento de la próxima generación de productos de memoria DDR5, LPDDR5 y GDDR6.