En el mundo de la tecnología flash 3D NAND, la mejor manera de que los fabricantes de chips puedan aumentar la capacidad de almacenamiento de sus chips es añadir capas adicionales a sus estructuras NAND. Es por ello que la tecnología 4D NAND es tan importante.
SK Hynix anuncia que ha comenzado a producir en masa los primeros chips TLC 4D NAND de 128 capas de 1 TB del mundo utilizando su tecnología 4D CTF (Charge Trap Flash) NAND flash.
La tecnología SK Hynix 4D utiliza una estructura conocida como flash PUC (Periphery Under Cell). La cuarta dimensión son las estructuras que se han desplazado bajo la estructura 3D NAND de SK Hynix. Sí, esta no es una estructura 4D realmente…
Con los nuevos chips de 128 capas de 1TB de la compañía, SK Hynix puede proporcionar una mayor productividad por oblea, ofreciendo un 40% de ganancia sobre el 4D NAND de 96 capas existente de la compañía. Además, SK Hynix ha alegado que esta migración tecnológica tendrá un costo un 60 % menor que su anterior cambio tecnológico, lo que ha dado lugar a niveles sorprendentes de eficiencia.
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SK Hynix tiene previsto enviar sus chips 4D NAND en el segundo semestre de este año, con unas velocidades de transferencia de datos prometedoras de 1.400 Mbps a 1,2 V. SK Hynix también tiene previsto crear internamente una unidad SSD de 2 TB utilizando este tipo de NAND y un chip controlador. Las unidades SSD de 16 TB y 32 TB NVMe también están previstas solo para el mercado empresarial.
[irp]La compañía también tiene la intención de crear chips de 176 capas en el futuro próximo.
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