Samsung anunció hoy que ha comenzado a producir en masa los primeros módulos de almacenamiento flash universal eUFS 3.0 integrado de 512 GB de la industria para dispositivos móviles de próxima generación.
En línea con la última especificación eUFS 3.0, la nueva memoria Samsung ofrece el doble de velocidad que el eUFS anterior (eUFS 2.1), lo que permitirá una experiencia de usuario inigualable en futuros smartphones con pantallas de alta resolución de gran tamaño con el doble o el triple de capacidad de almacenamiento en smartphones.
Samsung produjo la primera interfaz UFS del sector con eUFS 2.0 en enero de 2015, que era 1,4 veces más rápida que el estándar de memoria para móviles de la época, conocida como la tarjeta multimedia integrada (eMMC) 5.1. En tan sólo cuatro años, el nuevo eUFS 3.0 de la compañía igualara el rendimiento de los portátiles ultrabook actuales.
El eUFS 3.0 de 512 GB de Samsung apila ocho matrices V-NAND de 512 gigabits (Gb) de quinta generación de la compañía e integra un controlador de alto rendimiento. Con 2.100 megabytes por segundo (MB/s), el nuevo eUFS duplica la velocidad de lectura secuencial de la última memoria eUFS de Samsung (eUFS 2.1) que se anunció en enero. La velocidad de lectura de la nueva solución es cuatro veces más rápida que la de una unidad de estado sólido SATA (SSD) y 20 veces más rápida que una tarjeta microSD de hoy en día.
La velocidad de escritura será de hasta 410 MB/s, esto equivale a una unidad SSD SATA actual. También se estima 63.000 y 68.000 operaciones de entrada/salida por segundo (IOPS).
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