Samsung ha publicado oficialmente información sobre su nueva serie SZ985 SSD Z-NAND, un producto especialmente diseñado para contrarrestar uno de los mayores cuellos de botella emergentes en el mundo del almacenamiento, la latencia de memoria.
Está claro que este obstáculo de latencia debe superarse para mejorar los dispositivos de almacenamiento, no sólo permitiendo que se transfieran más datos en un tiempo determinado, sino que también permita que estos medios de almacenamiento respondan a los comandos más rápidamente, permitiendo que los datos se entreguen de una manera más oportuna y aceleren el rendimiento del sistema.
La nueva memoria Optane 3D XPoint de Intel está diseñada para abordar este problema de latencia de memoria al igual que el nuevo Z-NAND de Samsung, pero dada la tecnología de este ultimo, es más barata de producir, con el objetivo de lograr un gran rendimiento a un precio más bajo que un dispositivo Optane.
Con la unidad SSD SZ985 Z-NAND, Samsung se jacta de que puede alcanzar un rendimiento de lectura y escritura secuencial de 3,2 GB/s y un rendimiento de 750.000/170.000 IOPS de lectura y escritura aleatorias, ambas impresionantes cifras de rendimiento para una unidad SSD basada en NAND.
Lo que es más impresionante es la latencia de las memorias Z-NAND, que se ha logrado tanto con la propia Z-NAND como con los cambios en el diseño del controlador de memoria. Samsung dice que han reducido la latencia hasta 5,5 veces en comparación con otras unidades SSD NVMe, lo que permite que los datos se entreguen mucho más rápido.
Aún no sabemos cuándo llegaran las primeras unidades SSD Z-NAND de Samsung al mercado, pero parece que están cada vez más cerca.
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