Sin ninguna duda el salto a un proceso de fabricación de 10 nm nos va a traer grandes beneficios en potencia y eficiencia energética en nuestros dispositivos móviles. Actualmente los procesadores para smartphones no alcanzan los 3 GHz pero esta barrera estaría a punto de ser superada por el Exynos 8895 y el Snapdragon 830 en la próxima generación.
La gran eficiencia energética del proceso a 10 nm FinFET de Samsung le va a permitir crear un procesador Exynos 8895 tope de gama que dará vida al Samsung Galaxy S8. Este nuevo procesador sería capaz de alcanzar una frecuencia de funcionamiento realmente espectacular para un dispositivo móvil. El Exynos 8895 estará formado por cuatro núcleos Cortex-A73 a una frecuencia de funcionamiento de 4 GHz para un rendimiento sin precedentes. Para una gran eficiencia energética encontramos también cuatro núcleos Cortex-A53 funcionando a 2.7 GHz.
Una configuración muy poderosa para plantar cara a un Qualcomm Snapdragon 830 que se quedaría en los 3.6 GHz pero que contará con la baza de sus gráficos Adreno, mucho más avanzados que los Mali que Samsung utiliza en sus chips Exynos por lo que podría ser la GPU la que finalmente determine cual de los dos chips es el nuevo rey de la gama alta.
Fuente: nextpowerup
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