La nueva memoria HBM ha sido creada por Hynix y AMD en conjunto para ser el reemplazo de la actual y estancada GDDR5 que ya tiene varios años a sus espaldas. La nueva memoria se ha diseñado con el objetivo proporcionar un gran ancho de banda a las GPUs del futuro al mismo tiempo que reduce su consumo energético respecto a la GDDR5.
En la primera generación de la nueva memoria Hynix colocará 4 piezas de memoria DRAM en una simple capa que serán interconectandolas entre sí con unos canales verticales denominados TSV (through-silicon via). Cada una de ellas será capaz de transmitir 1 Gbps, lo que teóricamente ofrece un ancho de banda de 128 GB/s gracias a 4 hileras por cada pila.
La segunda generación tendrá piezas de 256 MB formando pilas de 1 GB que a su vez formaría módulos de 4 GB. dando un ancho de banda de 256 GB/s. Además creen que podrán alcanzar las 8 capas lo que permitiría incrementar la capacidad aunque no el ancho de banda.
Este tipo de memoria hará su debut con las nuevas tarjetas gráficas de la serie AMD Radeon R9 300 basadas en Pirate Islands y fabricadas en 20nm. AMD ha trabajado en conjunto con Hynix para desarrollar la memoria HBM y podra utilizarla en exclusiva durante el año 2015 minetras que Nvidia deberá esperar hasta el 2016 y su arquitectura Pascal para poder utilizarla por lo que sus productos lanzados en 2015 van a seguir usando GDDR5. También se espera que AMD utilice la memoria HBM en sus futuras APUs.
AMD y Hynix tienen la intención de seguir desarrollando esta tecnología durante los próximos años tratando de incrementar su capacidad, rendimiento y eficiencia energética.
Fuente: wccftech y videocardz
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