CXMT da un salto tecnológico y estrena la tecnología de memoria G5 de clase 12 nm

CXMT (ChangXin Memory Technologies), el fabricante de memorias más importante de China, ha alcanzado un logro importante para la industria, con el inicio de la producción en masa con su tecnología de proceso de quinta generación, denominada G5, para memorias DRAM.

CXMT estrena la tecnología de memoria G5 de 12 nm

Con este avance, CXMT ubica a la firma dentro del rango de los procesos avanzados de clase 10 nm, un terreno dominado por gigantes como Samsung, SK Hynix y Micron.

La compañía está usando la litografía de cuádruple patrón, lo que le permitió reducir el paso medio (half-pitch) del área activa a solo 11,95 nm. Además, la compañía optimizó su tecnología puerta metálica de alta constante dieléctrica (HKMG) optimizado para DRAM redujo la altura de la matriz de celdas del núcleo a 6762 nm, y empleó nuevos materiales para fabricar capacitores de almacenamiento con una impresionante relación de aspecto de 45:1, lo que permite añadir más celdas de memoria en una sola oblea manteniendo la capacidad y la estabilidad eléctrica.

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Los primeros componentes comerciales que integran la arquitectura G5 son chips de memoria LPDDR5X de 24 Gb. Gracias a esta densidad mejorada, CXMT afirma haber incrementado la cantidad de dados por oblea en más de un 50% con respecto a su generación anterior (G4). Estos nuevos módulos ya han comenzado a ser despachados e integrados en smartphones de gama alta en el mercado chino.

A pesar del evidente salto que esto representa, existen algunos detalles a tener en cuenta. Aunque CXMT lo llama como proceso de “12 nm” el valor real es de 11,95 nm. Por otro lado, la compañía no ha revelado datos sobre sus tasas de rendimiento por oblea ni costos de producción por bit, aspectos fundamentales para evaluar su competitividad real frente a otras alternativas. Os mantendremos informados.