Memorias

KIOXIA comienza el envío de muestras de sus memorias BiCS FLASH de 9.ª generación para móviles con IA y portátiles

Los nuevos chips TLC de 1 Terabit de KIOXIA alcanzan transferencias de 4,8 GB/s mediante una estructura de 230 capas

El procesamiento de tareas de IA en dispositivos portátiles exige memorias cada vez más rápidas para evitar cuellos de botella en la transferencia de datos. Para atender las necesidades de ordenadores y smartphones con IA que requieren capacidades de almacenamiento de nivel bajo a medio, la firma KIOXIA ha iniciado el envío de las primeras muestras de sus nuevos integrados de almacenamiento. Se trata de unidades que utilizan la tecnología de memoria flash 3D BiCS FLASH de novena generación.

Los integrados suministrados en esta fase inicial cuentan con una capacidad de 1 TB por chip y emplean la tecnología de celda de triple nivel o TLC. La mejora técnica más relevante respecto a las versiones previas reside en la velocidad de la interfaz NAND. El nuevo componente alcanza una tasa de transferencia de 4,8 GB/s. Esta velocidad representa un incremento del 33 % en comparación con los integrados de octava generación y equipara el rendimiento al de los desarrollos de décima generación de la marca.

KIOXIA apuesta por la tecnología CMOS avanzada y arquitectura de apilamiento en dos líneas

Para construir estos dispositivos de novena generación, el fabricante utiliza un proceso de apilamiento de 230 capas. La estructura toma como base la tecnología BiCS FLASH de octava generación y la combina con procesos de fabricación CMOS avanzada. En el apartado de arquitectura, la firma emplea su tecnología de matriz unida directamente a CMOS, conocida por las siglas CBA (CMOS Directly Bonded to Array), junto con la tecnología On-Pitch Select Gate Drain (OPS).

Este lanzamiento responde a una estrategia de desarrollo articulada en dos frentes tecnológicos independientes. La novena generación se centra en ofrecer un rendimiento elevado manteniendo unos costes de inversión contenidos durante el proceso de producción. De forma paralela, la compañía trabaja en la décima generación de memorias BiCS FLASH. Esta futura revisión aprovechará un sistema de apilamiento de capas más complejo para ofrecer capacidades de almacenamiento masivas y un rendimiento superior.

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El envío de muestras permite a los fabricantes de ordenadores y dispositivos móviles realizar las primeras pruebas de integración en laboratorio. La disponibilidad de estos chips busca suministrar componentes optimizados para soportar la carga de trabajo de la infraestructura moderna de inteligencia artificial.

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