AMD EXPO Ultra Low Latency es presentado para mejorar la latencia de las memorias DDR5

AMD ha presentado una importante actualización dentro de su estándar de overclocking de memoria. Se trata de AMD EXPO Ultra Low Latency (ULL), una nueva especificación de latencia ultrabaja diseñada para optimizar el rendimiento y exprimir el máximo potencial de los procesadores AMD Ryzen usando memorias DDR5.

AMD EXPO Ultra Low Latency: Hasta 13% más de rendimiento en juegos

La reducción de la latencia es un factor importante para el gaming. Al ajustar de forma más agresiva los tiempos de respuesta de la memoria, AMD busca eliminar cuellos de botella y aumentar los fps en juegos. Según los datos facilitados por la compañía, tras probar un procesador Ryzen 7 9700X en unos 30 juegos diferentes, los resultados son notables más que interesantes. El modo EXPO ULL ofrece un incremento del 13% en los fps promedio y una mejora del 15% en los mínimos de 1% (1% lows) en comparación con un kit de memoria estándar sin perfiles EXPO. Incluso si se compara con módulos EXPO convencionales, el salto de rendimiento neto está, más o menos, en un +4% de fps gracias a estas optimizaciones preconfiguradas.

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Es importante destacar que esta tecnología no se implementará mediante actualizaciones de software o firmware en el hardware actual. Los usuarios que deseen beneficiarse de esta optimización deberán adquirir nuevos kits de memoria certificados con AMD EXPO Ultra Low Latency (ULL). Fabricantes de memoria como G.Skill, XPG (AData), Kingston, Teamgroup, Lexar, KLEVV y V-Color ya han confirmado que están trabajando en el desarrollo de módulos de memoria específicos bajo la norma EXPO ULL.

Aunque el beneficio real podría ser algo más moderado en los procesadores equipados con tecnología 3D V-Cache (debido a que su gran caché L3), esta nueva tecnología sigue siendo un avance para sacar el máximo provecho posible de la memoria DDR5. Os mantendremos informados.