Micron impulsa la memoria RDIMM DDR5 hacia la era de la inteligencia artificial

Micron ha presentado un avance en el campo de las memorias para servidores y centros de datos con el lanzamiento de sus nuevos módulos RDIMM DDR5 de 256 GB, capaces de alcanzar velocidades de hasta 9.200 MT/s.

Micron impulsa la memoria RDIMM DDR5 de 256 GB para la IA

Estos módulos de memoria duplican la capacidad de los módulos actuales de 128 GB, además de ofrecer hasta un 40% más de rendimiento, posicionándose como una solución clave para cargas de trabajo de inteligencia artificial y otras tareas muy demandantes de ancho de banda.

Detalles técnicos

Los nuevos módulos están construidos con DRAM 1-gamma y emplean tecnologías avanzadas como apilamiento 3D (3DS) y Through-Silicon Vias (TSV), lo que permite mayor capacidad y eficiencia. Gracias a estas mejoras, un solo módulo de 256 GB puede reemplazar a dos de 128 GB, reduciendo el consumo eléctrico en un 40%, un elemento que es crítico en centros de datos hoy en día.

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La demanda de memoria de alta capacidad y velocidad en aplicaciones de IA hace que esta propuesta de Micron sea importante y necesaria, aunque no tanto para los usuarios tradicionales de PC. El entrenamiento de modelos de gran escala, el análisis de datos masivos y las operaciones en la nube requieren un ancho de banda superior y una eficiencia energética que los módulos actuales no pueden ofrecer. Con esta nueva generación de memorias se quiere abordar esta limitación.

Comparación con soluciones actuales

Mientras que los módulos DDR5 en producción alcanzan velocidades cercanas a los 6.400 MT/s, la propuesta de Micron eleva el estándar a 9.200 MT/s, marcando un salto importante de rendimiento. Además, la mayor capacidad por socket de CPU permitirá optimizar el espacio físico y reducir costos.

Actualmente, los módulos se encuentran en fase de muestreo con socios y se espera que entren en producción en masa hacia finales de este año. Os mantendremos al tanto de todas las novedades.