Samsung y SK hynix siguen caminos distintos para la DRAM del futuro mientras la memoria para IA aprieta a toda la industria

La carrera por la memoria de próxima generación se está complicando justo cuando más presión hay sobre el sector. Un nuevo informe apunta a que Samsung y SK hynix están probando estrategias muy diferentes para resolver uno de los grandes problemas de la DRAM avanzada: cómo seguir escalando densidad y rendimiento cuando los procesos se acercan a límites físicos cada vez más difíciles de manejar.

Este asunto es relevante porque la explosión de la inteligencia artificial está tensando toda la cadena de suministro de memoria, desde HBM hasta DRAM convencional. Aunque los procesadores y las GPU acaparan titulares, el cuello de botella muchas veces está en la memoria y en la capacidad de fabricarla con buenos rendimientos. Ahí es donde Samsung y SK Hynix se están jugando buena parte de su ventaja futura.

Dos soluciones distintas para una misma pared tecnológica

Según la información recogida por WFFCTech, Samsung quiere llevar a la DRAM parte de la lógica de fabricación que ya se ha visto en NAND, apoyándose en GAAFET para sus futuros chips. El problema es que en DRAM no basta con integrar transistores: también hay que convivir con condensadores, lo que complica mucho la celda. Una de las vías que estudiaría la firma surcoreana pasa por colocar circuitos de control debajo de la matriz de memoria, una organización que recuerda a ciertos enfoques ya aplicados en otros tipos de memoria.

Por su parte, SK hynix estaría explorando un enfoque 4F² basado en apilamiento vertical de transistores con una envoltura del material de puerta, una aproximación que también bebe de conceptos cercanos a GAAFET, pero con una arquitectura distinta. En este caso, parte de la lógica para recibir datos del condensador se situaría bajo el propio pilar del transistor.

Teniendo esto en cuenta, queda claro que ambas compañías buscan que su solución sea la primera en asentarse como estándar de la próxima DRAM. No es una pelea solo de laboratorio, sino una batalla industrial por definir cómo se fabricará la memoria que alimentará los aceleradores, servidores y sistemas de IA de los próximos años.

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Por ahora, ninguno de los dos enfoques tiene garantizado el éxito. Pero lo que sí queda claro es que la siguiente gran fase de la memoria no va a ganarse solo con capacidad de producción. También se decidirá por quien encuentre antes una arquitectura viable para seguir escalando sin romper la rentabilidad ni los rendimientos de fabricación.