En la carrera por eliminar los cuellos de botella que frenan la inteligencia artificial, NEO Semiconductor ha alcanzado una nueva meta con su memoria 3D X-DRAM, que ha superado con éxito la validación de «Prueba de Concepto» (PoC), con la idea de que sea una alternativa para las memorias HBM.
Este avance no solo es una victoria para NEO, sino que ha permitido a la compañía asegurar el financiamiento necesario para liderar la próxima generación de memorias para chips de IA.
Los resultados obtenidos en las pruebas realizadas en el Instituto de Investigación de Semiconductores de Taiwán (TSRI) son contundentes. La 3D X-DRAM registró una latencia de lectura/escritura inferior a los 10 nanosegundos, una cifra impresionante que garantiza una respuesta casi instantánea en procesos de computación intensiva. Además, su retención de datos es 15 veces superior al estándar JEDEC actual, manteniendo la integridad de la información por más de un segundo incluso a temperaturas extremas de 85 °C.
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A diferencia de la memoria HBM, que apila chips de DRAM terminados mediante procesos complejos y costosos, la arquitectura de NEO Semiconductor se inspira en la fabricación de las memorias 3D NAND (utilizadas en SSDs). Esto permite construir celdas de memoria en una estructura vertical monolítica. El uso de procesos y equipos de fabricación ya existentes en la industria es la clave de su potencial, prometiendo una densidad mayor a un costo de producción mucho menor.
Con una resistencia superior a los 10¹⁴ ciclos, esta tecnología está diseñada para soportar las cargas de trabajo de los modelos de lenguaje (LLM) y el entrenamiento de redes neuronales, que son muy exigentes. Andy Hsu, CEO de NEO Semiconductor, ha dicho que esto abre un «nuevo camino de escalabilidad» para la memoria DRAM, que actualmente se enfrenta a límites físicos difíciles de superar.
Con el respaldo financiero asegurado y la prueba de concepto validada, NEO Semiconductor se prepara para licenciar su tecnología a los gigantes del sector, marcando el inicio de una era donde la memoria dejará de ser un freno para el desarrollo de la inteligencia artificial. Sin embargo, para que veamos estas memorias en acción, todavía quedan algunos años. Os mantendremos al tanto de todas las novedades.
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