Samsung SF2P: El nuevo nodo de 2 nanómetros ya alcanza el 50% de rendimiento

Samsung Foundry ha dado un paso decisivo en la carrera de los semiconductores al alcanzar un rendimiento del 50% con su proceso de fabricación de 2 nanómetros (SF2P) basado en los transistores Gate-All-Around (GAA).

Samsung SF2P: El nodo ya alcanza el 50% de rendimiento

El avance de Samsung se presenta como un progreso importante para la compañía surcoreana, que busca consolidarse como la alternativa principal frente al dominio de TSMC en los próximos años.

A pesar de que la cifra del 50% aún está por debajo del objetivo ideal del 70% para una producción en masa, supone un salto abismal respecto a los problemas enfrentados con el nodo de 3nm, cuyos rendimientos no superaron el umbral del 30%. Esta mejora ya ha dado sus primeros frutos, con empresas como MicroBT y Canaan, que ya han realizado pedidos de chips bajo este proceso a Samsung.

El salto hacia SF2P

Con la base de los 2nm ya asentada, Samsung ha comenzado a instruir a sus socios de diseño (DSPs) a que prioricen su nodo SF2P. Este nodo mejorado promete optimización en eficiencia y potencia que superan a la primera iteración. Según los reportes, el diseño básico de SF2P se completó a mediados del año pasado y será fundamental para la fabricación de chips avanzados de la compañía durante este y el próximo año.

Se espera que el nodo SF2P sea utilizado por el procesador Exynos 2700, que integrará las nuevas memorias LPDDR6 y almacenamiento UFS 5.0. Además, Samsung ha asegurado un acuerdo estratégico de 16.500 millones de dólares para fabricar los chips de inteligencia artificial AI6 de Tesla bajo este mismo proceso.

Aunque Samsung todavía tiene un largo camino para desbancar a TSMC como fabricante de chips avanzados, su estrategia de saltar directamente al nodo SF2P y su meta de alcanzar la rentabilidad en esta división para 2027 demuestran que la firma coreana es ambiciosa y confía en su nodo de 2 nm. Os mantendremos informados.