SK Hynix nos revela cuál es su hoja de ruta hasta el año 2031 en lo que respecta a sus memorias DRAM, adelantando las llegadas de DDR6, DDR7, HMB5 y hasta memorias DRAM 3D.
En un mundo cada vez más impulsado por la inteligencia artificial y el procesamiento masivo de datos, la demanda de memoria RAM más rápida y eficiente es primordial. Es por eso que SK Hynix ya está preparado para los próximos años, comprometiéndose a ofrecer memorias más rápidas y eficientes adaptado a distintos segmentos, desde ordenadores conversacionales hasta centros de datos y superordenadores.
Para los consumidores y el mercado de PC, la gran novedad es la llegada de la memoria DDR6. Se espera que su estandarización comience alrededor de los año 2029 y 2030, duplicando casi el rendimiento de las DDR5 actuales. Las memorias LPDDR6 también están en desarrollo para dispositivos móviles como smartphones y portátiles, enfocándose en un equilibrio óptimo entre un alto ancho de banda y un bajo consumo eléctrico. La compañia espera que las memorias SOCAMM2 basadas en estos módulos se estandaricen a finales d esta década.
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En el sector de alto rendimiento, crucial para las tarjetas gráficas y las aceleradoras de IA, las memorias GDDR7 están a la vista, aunque sin dar muchos detalles sobre ella. Estas memorias proporcionarán el ancho de banda necesario para las GPUs de próxima generación. Al mismo tiempo, SK Hynix está avanzando en la memoria de alto ancho de banda (HBM), con planes para HBM4 y HBM4E de hasta 16 Hi y las futuras memorias HBM5 y HBM5E, que llegarían entre los años 2029 y 2031. Se espera que HBM5 de vida a las gráficas Feynman de Nvidia a lo largo del año 2028.
Quizás la visión más futurista de la compañía es la DRAM 3D, un concepto que va más allá del apilamiento actual y busca construir celdas de memoria verticalmente. Esta tecnología, proyectada para después de 2030, promete un salto importantísimo en la densidad y capacidad de las memorias.
Con este plan, SK Hynix ya está preparado para el futuro. Os mantendremos informados.
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