Micron ya ha enviado los módulos HBM4 de 11 Gbps, y son los más rápidos de la industria

Micron ha comenzado a enviar sus módulos HBM4 de 11 Gbps, los más veloces de la industria, destinados a cubrir las demandas del mercado actual, focalizado especialmente en la IA.

Micron HBM4: la memoria más rápida del mercado

Durante la presentación de resultados del cuarto trimestre de 2025, Micron confirmó que su HBM4 12-Hi DRAM ya está en manos de los primeros clientes. Esta memoria alcanza más de 11 Gbps por pin y una ancho de banda superior a 2,8 TB/s, cifras que la colocan como la solución más potente disponible para aplicaciones de alto nivel. La compañía destaca que su diseño innovador y el nodo 1-gamma DRAM le otorgan una ventaja clara frente a otros fabricantes.

Sanjay Mehrotra, presidente y CEO de Micron, subrayó que esta nueva generación no solo ofrece una velocidad impresionante, sino también es capaz de hacerlo con una eficiencia energética líder en su clase, algo clave para servidores y equipos de IA que operan 24/7.

Nos complace observar que nuestra participación en HBM está en camino de crecer nuevamente y estar en línea con nuestra participación general de DRAM en este tercer trimestre del calendario, cumpliendo con nuestro objetivo que hemos discutido durante varios trimestres. El HBM4 12-hi de Micron Technology sigue en camino de admitir rampas de plataforma de clientes, incluso cuando los requisitos de rendimiento para el ancho de banda HBM4 y las velocidades de los pines han aumentado.

Recientemente hemos enviado muestras a clientes de nuestro HBM4 con un ancho de banda líder en la industria que supera los 2,8 TB/s y velocidades de pin superiores a 11 Gbps. Creemos que el HBM4 de Micron Technology supera a todos los productos HBM4 de la competencia, ofreciendo un rendimiento líder en la industria, así como la mejor eficiencia energética de su clase. Nuestra DRAM 1-gamma probada, el diseño HBM4 innovador y de bajo consumo, el chip base CMOS avanzado interno y las innovaciones avanzadas de empaque son diferenciadores clave que permiten este producto de primera clase.

Sanjay Mehrotra – Presidente y CEO de Micron

Mirando al futuro con HBM4E y TSMC

Micron también reveló su próximo paso: la HBM4E, prevista para 2027. Para este desarrollo, colaborará con TSMC en la fabricación de la lógica base, lo que permitirá ofrecer versiones estándar y personalizadas para clientes que requieran configuraciones a medida. Este enfoque apunta a márgenes más altos y a una mayor flexibilidad en entornos de computación avanzada.

La compañía también aseguró que han colaborado estrechamente con NVIDIA para la adopción de la memoria LPDDR para servidores, convirtiéndose así en el único proveedor de DRAM LPDDR para centros de datos. Destacaron sus avances en este aspecto, como su memoria GDDR7, que ya alcanza 32 Gbps y proyecta superar los 40 Gbps en futuras iteraciones.

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Finalmente, también se confirmó que hay desarrollos Nodo DRAM de 1y, que ya han logrado alcanzar rendimientos maduros en un tiempo realmente corto, logrando reducir dicho tiempo en un 50% con respecto a la generación anterior.