SK Hynix está actualmente desarrollando sus memorias HBM4, pero un cambio de última hora pretende mejorar todo este proceso con la implementación de un nodo de 3 nm.
Las próximas memorias de alta velocidad HBM4 serán cruciales en su implementación en las aceleradoras de IA y HPC de próxima generación, por eso los grandes fabricantes como SK Hynix están esforzándose en ofrecer los mejores módulos para que cuenten con la mayor velocidad, estabilidad y un menor consumo eléctrico.
El plan inicial era comenzar a fabricar en masa las memorias HBM4 con un nodo de 5 nm, pero ahora con un nodo de 3 nm se mejoraría el rendimiento entre un 20 y un 30%. Al parecer, SK Hynix va a dividir las memorias HBM que se van a utilizar para las aceleradoras de IA de Nvidia y aquellos módulos de memoria que se van a utilizar para el propósito general, estos últimos utilizando un nodo de 12 nm.
Te recomendamos nuestra guía sobre las mejores memorias RAM del mercado
Hay que tener en cuenta que Samsung también está fabricando sus propias memorias HBM4, pero estas memorias funcionan con un nodo de 4 nm, por lo que SK Hynix tendría una ventaja tecnológica aquí que podría llegar a ser crucial de cara al futuro.
A día de hoy, SK Hynix está liderando ampliamente el mercado de memorias HBM con una cuota de participación de casi el 50%, la mayoría de ellos que son los utilizados por Nvidia para sus aceleradoras de inteligencia artificial.
El año próximo será muy divertido, con nuevas aceleradoras de Nvidia y también de AMD. Os mantendremos al tanto de todas las novedades.
GEEKOM es una de las marcas más conocidas del sector en lo que a Mini…
LG ha presentado en las últimas horas su nueva familia portátil, la LG Gram Book…
Anbernic acaba de dar un paso importante en el mercado de las consolas portátiles con…
