TSMC anuncia la fabricación de memorias HBM4 con nodos de 12 nm y 5 nm

TSMC está presentando la fabricación de las nuevas memorias HBM4 que estarán fabricadas con 12 nm y 5 nm. Estas nuevas memorias ofrecerán una velocidad y ancho de banda superiores.

HBM4: TSMC anuncia la fabricación de memorias en 12 y 5 nm

Las memorias HBM4 están satisfaciendo las demandas de aquellas aplicaciones de computación de alto rendimiento (HPC) y de inteligencia artificial (IA), que serán parte de las próximas aceleradoras de Nvidia, AMD e Intel en el futuro.

Actualmente, las memorias que se están utilizando son HBM3 y HBM3E, que ofrecen unas buenas velocidades y ancho de banda de memoria, pero en el futuro se necesitará más. Ahí es donde entre en juego HBM4, capaz de ofrecer una interfaz de 2048 bits y una velocidad de hasta 1,5 TB/s por pila. Esto será aprovechado por tareas muy demandantes, como la inteligencia artificial, que suele ocupar todo el ancho de banda de memoria. Las nuevas memorias también serán más eficientes a nivel de consumo eléctrico, así que hay ventajas por todas partes.

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TSMC va a utilizar dos nodos de proceso, que será N12FFC+ y N5. El proceso N12FFC+ ofrecerá una solución rentable para lograr el rendimiento de HBM4 y el proceso N5 proporcionará aún más lógica y menor consumo eléctrico para HBM4. La matriz base de TSMC, que será el N12FFC+, se utilizará para instalar pilas de memoria HBM4 en un intercalador de silicio junto con sistemas en chips, más conocidos como SoC. Con estas nuevas memorias será posible pilas de 12-Hi (48 GB) y 16-Hi (64 GB). Se habla de que el ancho de banda de estas memorias alcanzará los 2 TB/s.

TSMC está colaborando con fabricantes y socios de EDA como Cadence, Synopsys y Ansys para la producción de estas memorias y garantizar que tengan la mejor integridad de las señales del canal de memoria, la precisión térmica y la menor interferencia electromagnética (EMI) en los nuevos troqueles base HBM4. Así mismo, también se utilizarán las tecnologías CoWoS-L y CoWoS-R para la integración de estos módulos.

TSMC también confirma que está colaborando junto a Micrón para la creación de las matrices base de estas memorias, ya que Micron carece de sus propias instalaciones para fabricarlas en masa. Se espera que las memorias HBM4 se comiencen a utilizar durante los 2025 y 2026.