V-NAND: Samsung quiere alcanzar las 1000 capas con materiales ferroeléctricos

Samsung está en plan de poder alcanzar las 1000 capas V-NAND para sus futuros productos SSD. Pretenden alcanzar esta impresionante cifra gracias a la tecnología Hafnia Ferroelectrics.

V-NAND: Samsung quiere SSD de 1000 capas

El fabricante Samsung tiene la idea de alcanzar 1000 capas NAND y lograr el «petabytes» mediante unidades de estado sólido, un logro que no será nada fácil y que va a requerir de años de investigación y desarrollo. Sin embargo, parece que han podido encontrar el mecanismo para alcanzar este objetivo, mediante los materiales «ferroeléctricos».

El uso de materiales ferroeléctricos está en este momento en su etapa de investigación/experimentación que se ve bastante viable, algo que se ha discutido en el Simposio de Tecnología VLSI.

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“Análisis en profundidad de los Hafnia Ferroelectrics como factor clave para 3D VNAND de bajo voltaje y QLC más allá de la capa 1K – Demostración experimental y modelado

En este trabajo, demostramos experimentalmente una mejora notable en el rendimiento, impulsada por la interacción de la captura de carga y los efectos de conmutación ferroeléctrica (FE) en la capa intermedia de puerta diseñada con banda metálica (BE-G.IL)-capa intermedia de canal FE (Ch.IL) -Si (MIFIS) FeFET. El MIFIS con BE-G.IL (BE-MIFIS) facilita la ‘retroalimentación positiva’ maximizada (Posi. FB.) de efectos duales, lo que lleva a un bajo voltaje de operación (VPGM/VERS: +17/-15 V), una amplia ventana de memoria (MW: 10,5 V) y perturbación insignificante con un voltaje polarizado de 9 V.

Además, nuestro modelo propuesto verifica que la mejora del rendimiento del BE-MIFIS FeFET se atribuye a la intensificación de la Posi. FB. Este trabajo demuestra que el FE hafnia puede desempeñar un papel clave en la ampliación del desarrollo tecnológico del 3D VNAND, que actualmente se aproxima a un estado de estancamiento.”

– Simposio de Tecnología VLSI

Actualmente, Samsung se encuentra trabajando en la décima generación de memorias 3D V-NAND de 430 capas que se espera que esté lista para el año 2025, y recientemente anunciaron sus memorias de 290 capas. Desconocemos cuándo se va a implementar Hafnia Ferroelectrics en las memorias V-NAND de Samsung, pero probablemente haya que esperar varios años para que podamos verlas en acción. Os mantendremos al tanto de todas las novedades.