Samsung ha anunciado que en las próximas semanas van a comenzar la producción en masa de chips en 3 nm. Esto es algo que ocurrirá por tanto en este segundo trimestre del año. La empresa coreana se convierte de esta manera en la primera en el sector en alcanzar este hito, así que se trata de un momento de notable importancia.
Además de ser la primera en usar un proceso de fabricación con un diseño GAAFET (FET Gate All Around). 3GAE = a 3nm GAAFET.
Samsung solo ha confirmado el comienzo de esta producción en masa, así como el diseño que se usará. Aunque la empresa no ha dicho nada sobre densidades hasta el momento, un dato que interesa a muchos. En todo caso, se trata de un paso de importancia para el gigante coreano, al ser la primera en llevar a cabo esta fabricación en masa de chips en 3 nm.
Según la propia empresa, este proceso en 3nm consigue reducir el tamaño total del silicio en un 35 por ciento respecto al proceso de fabricación de 5nm FinFET. Además, también promete obtener una reducción del consumo de energía de alrededor de un 50 por ciento. El rendimiento se incrementa además en un 33 por ciento y hay un aumento de la densidad de transistores de un 80 por ciento. Claras mejoras en este caso.
Se espera por tanto un gran salto respecto a sus chips en 5 nm, al menos en base a estos datos que Samsung acaba de desvelar, por lo que tendremos que esperar unos meses para saber más sobre estos chips, su producción y su funcionamiento real. Pero se trata de un momento clave para la empresa coreana.
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