Kioxia está lanzando dispositivos de memoria flash embebidos que utilizan la nueva tecnología QLC de 4 bits por celda, lo que permite obtener mayores capacidades de datos, sobretodo para los dispositivos móviles de próxima generación.
Los dispositivos de memoria flash integrados Universal Flash Storage (UFS) Ver. 3.1 ya están disponibles con la tecnología QLC de 4 bits por celda. Esto permitirá a los dispositivos móviles de próxima generación obtener capacidades cada vez mayores de datos.
La nueva línea utiliza la memoria flash BiCS FLASH 3D y está disponible en capacidades de 64 GB a 512 GB.
Los nuevos dispositivos con UFS 3.1 ahora admiten unos rangos de temperatura desde los -40 hasta los 105 grados centígrados, cumpliendo con la norma AEC-Q100 Grado 2.
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La tecnología de redes 5G, el video en 4K, las imágenes de alta resolución, etc, están empujando a los fabricantes de memorias flash a mejorar la densidad de almacenamiento. Con este anuncio de Kioxia, se podría popularizar los teléfonos móviles, tablets, TV Smart y más dispositivos con almacenamiento flash para que tengan capacidades de 256 GB o 512 GB.
Kioxia también ha comentado que el rendimiento de lectura y escritura secuencial del dispositivo Automotive UFS Ver. 3.1 ha mejorado en 2,2 y 6 veces aproximadamente.
La tecnología QLC está reemplazando a la tecnología TLC tradicional, mejorando la densidad de celdas que se puede colocar en un módulo de memoria. Esto también debería aumentar la velocidad de lectura y escritura. Se dice que la industria está trabajando en un nuevo tipo de módulo llamado X-NAND, que debería jubilar al TLC en el futuro, resolviendo muchas de las limitaciones de este tipo de tecnología.
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