Rambus trae el subsistema de interfaz de memoria HBM3, ¡8.4 Gbps!

Parece que Rambus quiere volver al trono que perdió en el pasado con su HBM3, una memoria que permitirá aprovechar la experiencia HBM2 o HBM2e para acelerar la implementación. Nos han explicado un poco en qué consiste esta innovación.

Los centros de datos demandan unos anchos de banda impresionantes, y es que cada vez está todo más digitalizado. Una de las claves está en sus 2 controladores (digital y PHY) cuya solución es ofrecer más de 1 TB/s de ancho de banda, que es el doble de lo que veíamos en HBM2E. Por ello, Rambus quiere ganarse el prestigio que tan caro se compra hoy con su HBM3.

Rambus HBM3, sobrepasando el 1 TB/s de ancho de banda

Concretamente, Rambus ha denominado su invención Subsistema de memoria Rambus HBM3-Ready, cuya estructura y funcionamiento quedan desvelados en la imagen posterior. Ha hablado Soo Kyoum Kim, que es el Vicepresidente asociado de Semiconductores de memoria en IDC para explicar ciertos detalles:

Los requisitos de ancho de banda de memoria del entrenamiento IA/ML son insaciables con modelos de entrenamiento que superan miles de millones de parámetros.

El subsistema de memoria Rambus HBM3-Ready sube el nivel de rendimiento y permite aplicaciones de IA/ML y HPC de última generación.

Este susbistema de interfaz de memoria está compuesto por un PHY integrado y un controlador digital que admiten hasta 8.4 Gbps, que equivale a más de 1 TB/s de ancho de banda, ¡más del doble que HBM2E! Decir que Rambus ha basado su controlador digital y PHY integrada en los clientes de HBM2.

¿A quién va enfocada esta memoria HBM3? Pues, a los centros de datos, computación de alta nivel (HPC), y a aquellos profesionales que necesiten una bestialidad por tratar con muchos datos al mismo tiempo, por lo que el uso de la Inteligencia Artificial y Machine Learning es vital.

Características de Rambus HBM3

A modo de resumen, la histórica empresa de memorias ha querido destacar lo más importante de este subsistema de interfaz de memoria:

• Admite hasta 8.4 Gbps y un ancho de banda de 1.075 TB/s.
• Reduce la dificultad del diseño ASIC y acelera el tiempo de comercialización.
• Rendimiento de ancho de banda completo en todos los escenarios.
• Fucniones HBM3 RAS.
• Monitor de actividad de rendimiento a nivel hardware.
• Acceso al sistema Rambus y a expertos que ayudan a los diseñadores de ASIC para obtener la máxima integridad de la señal y la alimentación de los dispositivos.
• Paquete 2.5D e interposer como diseño de referencia.
• LabStation, que es un entorno de desarrollo para activar, caracterizar y depurar rápidamente el sistema.

De este modo, a Samsung y SK hynix les ha salido un rival en la memoria de alto rendimiento, ya que los coreanos han liderado los avances en HBM, HBM2 y HBM2E. La americana Rambus contraataca en el mundo de las memorias para volver a recuperar su presencia en el entorno profesional.

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¿Qué os parece esta innovación?