El veto de Estados Unidos a Huawei ha obligado al fabricante chino a desarrollar muchas tecnologías propias, entre ellas su propio sistema operativo. Esto es algo que ha ocurrido también con su reciente patente para los transistores IGBT (transistor bipolar de puerta aislada). Al parecer, el fabricante habría obtenido dicha licencia por medio de las autoridades chinas.
El fabricante se encuentra reforzando su equipo de I+D recientemente y buscan ampliarlo en diversos cambios, entre ellos el de estos transistores IGBT.
Huawei se encuentra trabajando en su entrada en el mercado de los coches eléctricos, algo que se conoce desde hace unos meses. Es por ello que la firma está ampliando diversos equipos, como el de I+D dedicado a los componentes de potencia para automóviles. El gobierno chino habría proporcionado ya una patente para su serie Si de IGBT de primera generación, al menos eso informan varios medios en China.
Además, parece que la marca estaría ampliando plantilla, tras haber contratado cientos de nuevos empleados de I+D, que les ayudarán a intensificar el desarrollo de semiconductores de potencia. Entre ellos los MOSFET, los GaN (semiconductores del III/V de nitruro de Galio) y los componentes de SiC (carburo de silicio).
Son pasos de importancia para Huawei, que va a ir ampliando su presencia en diversos segmentos, como ahora con los coches eléctricos. Esto es algo que espera les ayude a superar el veto de Estados Unidos, que ha provocado que las ventas de sus teléfonos se hayan hundido, por ejemplo.
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