Las memorias DDR5 van a llegar muy pronto al mercado del PC y Samsung es uno de los pioneros fabricantes que están dispuestos a ofrecer este tipo de módulos.
Con este objetivo en mente, Samsung anunció que ha desarrollado el primer módulo de memoria de 512 GB de capacidad, que están diseñados para la próxima generación de servidores EPYC ‘Genoa’ de AMD y Xeon Scalable ‘Sapphire Rapids’ de Intel, que van a llegar a lo largo de este año 2021.
El módulo de memoria DDR5 (RDIMM) posee 512 GB de capacidad que utiliza 32 pilas de 16 GB cada uno. Las pilas de 8-Hi utilizan interconexiones a través de silicio para garantizar un bajo consumo y una señalización de calidad. La velocidad de transferencia no es revelada en este anuncio, pero se espera que tenga, como mínimo, una velocidad de 4800 MHz.
Samsung utiliza una tecnología de fabricación llamado HKMG que reducen la corriente de fuga de los módulos y permiten una gran capacidad, menor consumo de corriente y velocidades de transferencia superiores.
No es la primera vez que Samsung utiliza la tecnología HKMG. En 2018 comenzó a utilizarla para los módulos GDDR6 de alta velocidad.
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Samsung dice que ha logrado reducir el consumo eléctrico de sus memorias DDR5 en un 13 %, lo que será especialmente importante para los módulos RDIMM de 512 GB para el entorno de servidores. Al trabajar con ocho canales de memoria y dos DIMM por canal, los nuevos módulos van a poder suministrar a cada CU un total de 8 TB de capacidad de memoria. Superior a los 4 TB por CPU en la actualidad.
Los nuevos módulos DDR5 ya está siendo probados por distintos socios de Samsung en la actualidad , a la espera de que sean finalmente validados y certificados cuando esté disponibles en el mercado. Este será el paso previo para el salto hacia el mercado del PC de consumo, que se beneficiará de unas mayores velocidades de transferencia de datos.
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