Junto con la revelación de la memoria GDDR6X por parte de la empresa, Micron ha revelado su plan de crear una nueva memoria de tipo HBM llamada HBMnext, que pretende satisfacer «la demanda del mercado de más datos».
A finales de este año, Micron planea lanzar la memoria HBM2E que ofrece velocidades de 3,2Gb/s o niveles de rendimiento «potencialmente más altos». Esto coincide con las especificaciones de la ya anunciada memoria HBM2E de Flashbolt de Samsung, lo que coloca a Micron en una posición similar a la de sus competidores.
Micron ha declarado que «los productos similares a los de HBM prosperarán y manejarán volúmenes cada vez mayores», sugiriendo que HBMnext ofrecerá algo más que un simple aumento de velocidad respecto a las ofertas actuales de HBM. El aumento del ancho de banda siempre es bienvenido, pero el aumento de las capacidades por chip será cada vez más vital a medida que los conjuntos de datos sigan aumentando en tamaño y volumen.
El nombre de HBMnext sugiere que el sucesor de HBM planeado por Micron diferirá en diseño de lo que podría denominarse memoria HBM3. Micron ha declarado que están trabajando en la estandarización JEDEC para HBMnext, sugiriendo que el producto puede ser diferente de lo que sus competidores planean ofrecer.
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[irp]Con un lanzamiento a finales de 2022, los entusiastas del hardware no deberían esperar volver a oír hablar de HBMnext en un futuro próximo. Estamos a dos años del primer lanzamiento potencial de este tipo de memorias. Os mantendremos informados.
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