Transistores Samsung de 3nm Multi Bridge Channel FET

Samsung alcanza procesos de manufactura con silicio de 3 nanómetros para 2022 con sus transistores Multi Bridge Channel FET. Con ellos se puede observar una increíble mejora en la tecnología de transistores, empezando por su rendimiento.

Transistores Samsung de 3nm Multi Bridge Channel FET

Samsung está trabajando en tecnología «Gate-All-Around FET» (GAAFET ), lo cual nos traerá un control mejorado de los canales de transmisión y prevendrá la pérdida de energía en nodos pequeños.

Hoy Samsung ha añadido algunos detalles sobre la llegada de los llamados Multi Bridge Channel FET, a la cual se refieren simplemente como MBCFET. Este sistema de proceso de manufactura de 3 nanómetros aparenta ser bastante prometedor según la información obtenida por Hardwareluxx.

En primer lugar se debe aclarar que MBCFET forma parte de la tecnología GAAFET, por lo que esta última no es un producto en sí sino más bien una gama de productos con parámetros específicos de fabricación. Sobre el rendimiento de los MBCFET, Samsung declara que esta tecnología consumirá un 50% menos y rendirá un 30% más que otros sistemas. Según sus predicciones se estima que cada transistor necesitará un 45% menos de espacio reservado para el silicio, aunque esta comparación toma como referencia procesos de 7nm (posiblemente de tecnología FinFET).

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MBCFET permitiría agrupar los transistores uno sobre otro, lo cual parece el secreto de sus reducidas dimensiones si los comparamos con modelos FinFET. También hay signos de que la distribución de los transistores realizados con este método de fabricación será más flexible, permitiendo que se ajuste a cualquier escenario tanto de bajo consumo como alto rendimiento.

No obstante aún queda un año por delante antes de que empecemos a encontrar los primeros dispositivos equipados con estos transistores, que se esperan para 2022.