La multinacional japonesa nos anunció en la pasada Flash Memory Summit datos sobre sus nuevas soluciones de almacenamiento XL-FLASH y hoy conocemos un poco más sobre ellas. Analizamos más en profundidad la estrategia de Toshiba y su nueva tecnología que desdibuja aún más la diferencia entre las memorias NAND y DRAM.
Estas soluciones de almacenamiento son la respuesta directa de Toshiba a las memorias Z-NAND de Samsung y 3D XPoint de Intel. Destacan por ser tipo SLC (Celdas de Nivel Único, en español), es decir, que solo almacenarán un bit por celda, por lo que serán algo más pequeñas, pero mucho más fiables y de latencia más baja.
Las memorias más pequeñas hechas con esta estructura serán de 128 GB y estarán divididos en 16 planos. Esto aumentará mucho la capacidad de trabajo en paralelo, sobre todo en comparación a otras memorias basadas en 3D NAND. A cambio, cada página tendrá un tamaño de solamente 4 kB, un número bastante bajo comparándolos con su competencia directa.
Por otro lado, para compensar esta baja se nos ha revelado que la latencias de lectura serán inferiores a 5µs. Si lo ponemos en perspectiva con los 50µs de sus 3D TLC, esto es una gran mejora.
Otro punto a destacar es que estos modelos estarán a la disposición de cualquier empresa third-party. A diferencia de las memorias Z-SSD que son exclusivas de Samsung, veremos algunas memorias bajo el nombre de diferentes marcas con la tecnología de Toshiba.
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Algunas empresas ya se han pronunciado al respecto y están altamente interesadas en publicar sus propios modelos. Esto posiblemente agite el mercado de las memorias y como todos sabemos, más competencia suele ser mejor para los usuarios.
El ensamblaje de estas soluciones de almacenamiento empezará el próximo mes y como te hemos predicho al principio, veremos su lanzamiento el próximo año.
¿Crees que las XL-FLASH pueden cambiar el mercado de memorias? Comparte tus ideas aquí abajo en la caja de comentarios.
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