Samsung empezó a probar chips de 32 Gbit, es decir, 4 GB por IC. Ahora mismo se habla de la existencia de un chip A-die DDR4 con una velocidad de 2666 MHz y esta capacidad. Otros tipos de chips DDR4 de la compañía probablemente le seguirán en un futuro próximo.
Samsung ya anunció el año pasado que había comenzado la producción en serie de la segunda generación de memorias DDR4 a 10 nanómetros, y el aumento de la densidad tendrá ventajas muy interesantes.
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Los chips DDR4-2666 de 32 Gb A-die de Samsung están compuestos por dos matrices DDR4 de 16 Gb apiladas y producidas utilizando la tecnología de proceso de 10 nm de la compañía. Samsung ofrece dos versiones de paquetes DDR4 de 32 Gb: una con una configuración de 2G x8 y otra con una configuración de 1G x16. El primero es visto por el controlador de memoria como dos dispositivos de memoria, mientras que el segundo es considerado como un dispositivo DRAM. Los DDPs (paquetes de troqueles duales) vienen en un formato FBGA estándar y utilizan el voltaje de 1,2 V, estándar en la industria.
[irp]La especificación DDR4 de JEDEC sólo comprende de dispositivos de memoria de 4 Gb, 8Gb y 16 Gb. Como resultado, los fabricantes de DRAMs tienen que utilizar técnicas avanzadas de empaquetado para construir chips para módulos de memoria de alta capacidad para servidores o estaciones de trabajo. Los DDPs no son algo que no se hayan visto antes, pero los DDPs de 32 Gb DDR4-2666 son exclusivos de Samsung en este momento.
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