Samsung presenta la nueva memoria HBM2E de alto ancho de banda

Samsung acaba de presentar su nueva memoria de alto ancho de banda HBM2E (Flashbolt) en el evento GTC 2019 de NVIDIA. La nueva memoria está diseñada para proporcionar el máximo rendimiento en DRAM para su uso en superordenadores, sistemas gráficos e inteligencia artificial (IA) de última generación.

HBM2E ofrece un 33% más de velocidad que la generación anterior HBM2

La nueva solución llamada Flashbolt, es la primera memoria HBM2E del sector en ofrecer una velocidad de transferencia de datos de 3,2 gigabits por segundo (Gbps) por pin, esto representa un 33% más de velocidad que la generación anterior de HBM2. Flashbolt tiene una densidad de 16Gb por matriz, el doble de la capacidad que la generación anterior. Con estas mejoras, un único paquete HBM2E de Samsung ofrecerá un ancho de banda de 410 gigabytes por segundo (GBps) y 16 GB de memoria.

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Esto representa un gran avance, que podrá mejorar aún más el rendimiento de aquellas tarjetas gráficas que la utilicen. Se desconoce si la nueva generación Navi de AMD, utilizara este tipo de memoria, o si apostaran por la memoria GDDR6. Recordemos que Radeon VII, la última tarjeta gráfica de AMD, utiliza 16GB de memoria HBM2.

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«El rendimiento líder en la industria de Flashbolt permitirá soluciones mejoradas para centros de datos de próxima generación, inteligencia artificial, aprendizaje de máquinas y aplicaciones gráficas», dijo Jinman Han, vicepresidente senior del equipo de planificación de productos de memoria e ingeniería de aplicaciones de Samsung. «Continuaremos expandiendo nuestra oferta de DRAM ‘premium’ y mejorando nuestro segmento de memoria de alto rendimiento, alta capacidad y baja potencia’ para satisfacer la demanda del mercado».