Western Digital está trabajando en su propia memoria flash de ‘baja latencia’ que ofrecerá un mayor rendimiento y resistencia en comparación con el 3D NAND convencional, diseñado en última instancia para competir con el Intel Optane.
En el evento ‘Storage Field Day’ de esta semana, Western Digital habló sobre su nueva memoria actualmente en desarrollo de baja latencia. La tecnología está destinada a encajar en algún lugar entre el 3D NAND y la DRAM convencional, similar al Optane de Intel y el Z-NAND de Samsung. Según Western Digital, su memoria LLF tendrá un tiempo de acceso «en el rango de microsegundos», utilizando arquitecturas de 1 bit por celda y 2 bit por celda.
El fabricante admite que su nueva memoria LLF costará 10 veces menos que la DRAM, pero 20 veces más que la memoria 3D NAND (al menos según las estimaciones actuales) en términos de precios por GB, por lo que es probable que sólo sea utilizada por aplicaciones seleccionadas destinadas a centros de datos o estaciones de trabajo de gama alta, similares a lo que ya está ofreciendo Optane y Z-NAND.
[irp]Western Digital no revela todos los detalles sobre su memoria flash de baja latencia y es imposible decir si tiene algo que ver con el 3D NAND de baja latencia XL-Flash de Toshiba anunciado el año pasado. Naturalmente, la empresa también es reacia a hablar de productos reales basados en su memoria LLF, o cuándo van a estar disponibles. Por los costos que detallan antes, es difícil imaginar que estas nuevas memorias lleguen al usuario de a pie en el corto plazo.
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