Un informe de EETimes muestra el MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory) de Intel listo para la producción en grandes volúmenes de fabricación. MRAM es una tecnología de memoria no volátil, lo que significa que puede retener información incluso si hay una pérdida de energía, esto lo asemeja mas a un dispositivo de almacenamiento que a una memoria RAM estándar.
La memoria MRAM está siendo desarrollado para reemplazar en un futuro a las memorias DRAM (Memorias RAM) y a las memorias de almacenamiento NAND flash.
MRAM promete ser mucho más fácil de fabricar y ofrecer tasas de rendimiento superiores. El hecho de que MRAM haya demostrado ser capaz de alcanzar tiempos de respuesta de 1 ns, mejores que los límites teóricos actualmente aceptados para DRAM, y velocidades de escritura mucho más altas (hasta miles de veces más rápida) en comparación con la tecnología flash NAND, son los motivos por el que este tipo de memoria es tan importante.
Con las actuales características, MRAM permite una retención de datos de 10 años a 125 grados centígrados, y un alto grado de resistencia. Además de la alta resistencia, se ha informado de que la tecnología MRAM integrada de 22 nm tiene una tasa de rendimiento por bits superior al 99,9%, una hazaña asombrosa para una tecnología relativamente nueva.
[irp]Se desconoce exactamente porque Intel está utilizando un proceso de 22 nm para la fabricación de estas memorias, pero podemos intuir que es para no saturar la producción en 14 nm, que es la utilizada por sus procesadores CPU. Tampoco han comentado cuanto tiempo tendremos que esperar hasta ver esta memoria en acción para el mercado de PC.
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