A mediados del año pasado, surgió una noticia de que Samsung planeaba producir chips en 3 nm en 2022, pero parece que eso se va a adelantar un año, con la llegada de una nueva tecnología de transistores llamados GAAFET.
Samsung ha confirmado que planea comenzar la producción en serie de los transistores GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistors) de 3 nm en 2021, utilizando un tipo de transistor que está diseñado para suceder a los conocidos FinFET de hoy en día.
El nombre GAAFET describe todo lo que necesitas saber sobre la tecnología. Supera las limitaciones de escala y rendimiento de FinFET al ofrecer cuatro puertas alrededor de todos los lados de un canal para ofrecer una cobertura completa. En comparación, FinFET cubre tres lados de un canal en forma de abanico. En efecto, GAAFET lleva la idea de un transistor tridimensional al siguiente nivel.
La nueva tecnología también permitirá funcionar con voltajes más bajos que los de ahora, aunque no han detallado exactamente en cuanto se traducirá esa mejora en el rendimiento energético.
Samsung ha estado desarrollando su tecnología GAAFET durante varios años, y las estimaciones previas de la empresa sitúan el lanzamiento de la tecnología GAAFET de 4 nm ya en 2020. Samsung también espera que sea la primera compañía en lanzar un nodo de proceso EUV de 7 nm, con planes de iniciar la producción a finales de este mismo año. Su competidor, TSMC, también planea implementar la tecnología EUV con su nodo 7nm+.
[irp]Si las estimaciones de Samsung son correctas, la empresa tiene la posibilidad de convertirse en la principal fabricante de silicio del mundo en los próximos años, aunque eso no significa que TSMC no pueda dar pelea.
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