TSMC comenzara la producción de los 5 nm en la segunda mitad de 2019

Mientras que los problemas de 10 nm de Intel continúan, TSMC ha seguido avanzando hacia nodos más pequeños, confirmando sus planes de iniciar la ‘producción de riesgo’ del nodo de 5 nm en la segunda mitad de 2019.

TSMC comenzara la producción de riesgo del nuevo nodo en 5 nm el año próximo

Además, TSMC espera que su nuevo nodo de 7 nm represente el 20% de sus ingresos totales durante el año próximo, mostrando la enorme demanda de un nodo de proceso de vanguardia, con TSMC siendo líder en la fabricación de nodos de 7 nm, luego de que GlobalFoundries abandonara la producción de los mismos.

TSMC está planeando desarrollar un nodo FinFET ‘Plus’ de 7 nm, que adopte la tecnología EUV para varias capas en el proceso de fabricación, mientras que FinFET de 5 nm utiliza aún más la tecnología para capas más críticas, reduciendo la necesidad de patrones múltiples. La tecnología EUV llegaría un tiempo luego de que la producción en masa de los 7 nm comience.

Estiman una reducción de área de 45% en comparación con los 7nm

Este cambio también permitirá que los 5 nm ofrezca una cantidad significativa de ‘escalamiento’ de transistores en comparación con los 7 nm, con informes iniciales que estiman una reducción de área de 45% en comparación con los 7nm FinFET, lo que es una mejora bastante importante.

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En cuanto al contexto, el nodo FinFET de 7 nm de TSMC ya ofrece una reducción de área del 70% sobre el nodo FinFET de 16nm, lo que convierte a el nodo de 5 nm en algo extremadamente compacto, aunque se espera que el ahorro de energía y los aumentos de rendimiento que proporciona los 5 nm sean menores con respecto a los 7 nm.