Samsung anuncia la primera memoria LPDDR5 de 8 Gb fabricada a 10 nm

Samsung ha anunciado hoy que ha desarrollado con éxito la primera memoria DRAM LPDDR5 de 10 nanómetros de la industria con una capacidad de 8 gigabit. Se trata de un logro que ha sido posible gracias a cuatro años de trabajo desde la introducción del primer chip LPDDR4 de 8Gb en 2014.

Samsung ya tiene una memoria LPDDR5 de 8 Gb fabricada a 10 nm

Samsung ya está trabajando a toda máquina, para poner en marcha cuanto antes la producción en masa de su tecnología de memoria LPDDR5, para su uso en las próximas aplicaciones móviles con 5G e Inteligencia Artificial. Este chip LPDDR5 de 8Gb cuenta con una velocidad de transferencia de datos de hasta 6.400 MB/s, lo que lo hace 1.5 veces más rápido que los chips LPDDR4X a 4266 Mb/s actuales. Esta gran velocidad permitirá enviar 51.2 GB de datos o 14 archivos de video full-HD de 3.7 GB cada uno en tan solo un segundo.

Te recomendamos la lectura de nuestro post sobre Samsung inicia la producción en masa de su memoria VNAND de quinta generación

La DRAM LPDDR5 de 10nm estará disponible en dos anchos de banda: 6.400 Mb/s con un voltaje operativo 1.1v y 5.500 Mb/s a ​​1.05 V, lo que la convierte en la solución de memoria móvil más versátil para smartphones y sistemas automotrices de próxima generación. Este avance en el rendimiento ha sido posible a través de varias mejoras arquitectónicas, como duplicar el número de bancos de memoria de ocho a 16, para alcanzar una velocidad mucho mayor a la vez que reduce el consumo de energía. El nuevo chip LPDDR5 también hace uso de una arquitectura de circuito altamente avanzada y optimizada en velocidad que verifica y garantiza el rendimiento.

Gracias a sus características de bajo consumo, la memoria DRAM LPDDR5 ofrecerá reducciones de consumo de energía de hasta un 30%, maximizando el rendimiento de los dispositivos móviles y extendiendo la vida de la batería de los dispositivos.

[irp]

Samsung planea comenzar la producción masiva de sus alineaciones DRAM de próxima generación LPDDR5, DDR5 y GDDR6 en línea con las demandas de los clientes globales, aprovechando la infraestructura de fabricación de vanguardia en su última línea en Pyeongtaek, Corea.