Samsung y ARM anuncian una importante colaboración con los 7/5 nm FinFET

Samsung y ARM han anunciado una ampliación de su colaboración con el avanzado proceso de fabricación a 7/5 nm FinFET, lo que les permitirá mantenerse por delante de la competencia en la computación de alto rendimiento.

Samsung y ARM ponen en marcha una importante colaboración con los 7 y 5 nm FinFET de la firma surcoreana

Samsung y ARM esperan que esta colaboración los lleve a comenzar a producir procesadores basados en la arquitectura ARM Cortex-A76 que sean capaces de funcionar a más de 3GHz. La colaboración entre Samsung y ARM en los campos de soluciones IP es crucial para aumentar el poder de cómputo de alto rendimiento y acelerar el crecimiento de la Inteligencia Artificial y las capacidades de Aprendizaje Automático.

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Ambas compañías aprovecharán las tecnologías de proceso 7nm Low Power Plus (7LPP) y 5nm Low Power Early (5LPE) de Samsung. 7LPP debería estar listo para la producción inicial en esta segunda mitad de año 2018. ARM proporcionará la plataforma IP física de ARM Artisan, que incluye arquitectura lógica HD, un conjunto completo de compiladores de memoria y bibliotecas GPIO de 1.8V y 3.3V.

ARM y Samsung han colaborado en una gran cantidad de chips utilizando el IP físico de Artisan en las tecnologías de proceso de Samsung. Los nodos 7LPP y 5LPE de Samsung son tecnologías de proceso innovadoras que satisfarán las necesidades de sus clientes mutuos, de entregar la próxima generación de SoCs de centros de datos móviles a hiperescalares. ARM declaró en mayo que llevaría al mercado los portátiles Cortex-A76 en 2019 que pueden superar la velocidad de 3GHz.

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Esta importante colaboración entre Samsung y ARM debería permitirnos disfrutar de una nueva generación de dispositivos móviles con capacidades muy mejoradas.