Los procesos de fabricación EUV a 7 nm y 5 nm tienen más dificultades de las previstas

El avance en los procesos de fabricación de los chips de silicio es cada vez más complicado, algo que se puede ver con la misma Intel que ha tenido grandes dificultades en su proceso a 10 nm, lo que la ha llevado a estirar mucho la vida de los 14 nm. Otras fundiciones como Globalfoundries y TSMC, estarían teniendo más dificultades de las previstas en el salto a los procesos de 7 nm y 5 nm basados en tecnología EUV.

Más problemas de los previstos con los procesos EUV a 7 nm y 5 nm

A medida que Intel, Globalfoundries y TSMC avanzan hacia procesos de fabricación de menos de 7 nm con obleas de 250 mm y uso de la tecnología EUV, se están encontrando con varias dificultades más de las previstas. Los rendimientos de los procesos a 7 nm con EUV no están donde los fabricantes quieren estar todavía, algo que se gravará más aún con el paso a los 5 nm con varias anomalías diferentes que surgen en la producción de prueba. Se ha comentado que los investigadores tardan días en escanear los defectos de los chips de 7 nm y 5 nm.

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Están surgiendo varios problemas de impresión en dimensiones críticas de alrededor de 15 nm, necesarias para fabricar chips de 5 nm, cuya producción real se esperaba para el año 2020. El fabricante de máquinas EUV, ASML, está preparando un nuevo sistema EUV de próxima generación que se ocupa de estos defectos de impresión encontrados, pero no se espera que esos sistemas estén disponibles hasta 2024.

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A todo lo anterior se añade otra dificultad relacionada con los procesos de fabricación basados en EUV, la física de base detrás de esto. Los investigadores y los ingenieros aún no entienden exactamente qué interacciones son relevantes y ocurren en el grabado de estos patrones tan extremadamente finos con iluminación EUV. Por ello, es de esperar que surjan algunos problemas imprevistos.