Procesadores

Samsung fabricará a 7 nm LPP EUV los chips 5G de Qualcomm

Samsung ha anunciado que ha llegado a un acuerdo con Qualcomm para la fabricación de os chips 5G de esta usando su proceso de fabricación a 7 nm LPP EUV, uno de los mejores de la industria que hará posible una gran eficiencia energética en los procesadores de la americana.

Qualcomm usará el proceso 7 nm LPP EUV de Samsung

De esta forma Samsung y Qualcomm expanden sus relaciones dentro del campo de la fabricación de procesadores usando la técnica de litografía EUV (extreme ultra violet), pues los nuevos procesadores Snapdragon con conectividad 5G se fabricarán usando el proceso a 7 nm LPP EUV de la surcoreana. Gracias a esto los nuevos Snapdragon serán más pequeños y mucho más eficientes con el uso de la energía, algo especialmente importante para maximizar la duración de la batería de los dispositivos que los monten.

Te recomendamos la lectura de nuestro post sobre Qualcomm Atheros WCN3998 abre las puertas a la conectividad del futuro

La litografía basada en EUV promete romper la barrera de escalado de transistores de la ley de Moore, de esta forma se abrirá el camino para la fabricación de chips con una escala de nm formada por un solo dígito. El proceso a 7 nm LPP EUV de Samsung supondrá un 40% más de eficiencia en el uso del espacio, un 35% más de eficiencia energética y un 10% más de rendimiento en comparación con su proceso a 10nm FinFET.

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«Estamos entusiasmados de liderar la industria móvil 5G junto con Samsung. Con el proceso a 7nm LPP EUV, nuestra nueva generación de chipsets móviles Snapdragon 5G aprovechará las mejoras de proceso y el diseño de chips avanzado para mejorar la experiencia del usuario de futuros dispositivos (Qualcomm).

Para continuar ampliando nuestra relación de fundición con Qualcomm Technologies en tecnologías 5G utilizando nuestra tecnología de proceso EUV. Esta colaboración es un hito importante para nuestro negocio de fundición, ya que significa confianza en la tecnología de proceso líder de Samsung (Samsung)».

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