Samsung inicia la producción de memoria GDDR6 a 18 Gbps

Samsung ha comunicado que ya ha iniciado la producción en masa de los primeros chips de memoria GDDR6 con una velocidad de 18 Gbps, los más rápidos hasta la fecha y que harán posibles nuevas tarjetas gráficas mucho más potentes que las actuales.

La GDDR6 a 18 Gbps de Samsung liderará el sector

La memoria GDDR5/X está ya muy al límite de lo que es capaz de ofrecer por lo que la industria necesita ya un reemplazo, la memoria HBM2 ha demostrado ser demasiado cara para usarla de forma general por lo que hay que buscar otras opciones, ahí es donde entra la nueva GDDR6 que promete ser mucho más económica de producir.

Samsung ya fabrica memorias HBM2 de 8 GB a 2,4 Gbps

Los nuevos chips GDDR6 a 18 Gbps de Samsung serán los líderes del sector, gracias a ellos tendremos una nueva generación de procesadores gráficos más potentes que los actuales, algo especialmente importante en el campo de los videojuegos, la inteligencia artificial y los centros de datos.

Estas nuevas memorias de Samsung se fabrican usando su proceso a 10 nm, esto permite crear chips con una densidad de almacenamiento de 2 GB, lo que supone el doble que los chips GDDR5X creados con el proceso a 20 nm. Su elevada velocidad de 18 Gbps permite ofrecer más del doble de velocidad por pin respecto a los 8 Gbps de la memoria GDDR5.

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Para hacer esto posible se ha usado un nuevo diseño de circuito de baja energía, estas memorias GDDR6 funcionan con una tensión de 1,35V para reducir el consumo de energía en aproximadamente un 35% frente a la memoria GDDR5 que opera a una tensión de 1,5V. Esto se une a una productividad un 30% mayor gracias a la miniaturización del proceso a 10 nm frente a los 20 nm.