Samsung inicia la producción en masa de su segunda generación de DRAM a 10 nm

No hay ninguna duda de que Samsung es uno de los mejores fabricantes de memoria DRAM y NAND a nivel mundial, ahora la surcoreana ha dado un nuevo paso adelante al iniciar la producción en masa de su segunda generación de DRAM a 10 nm.

Samsung ya produce en masa DRAM con su segunda generación de 10 nm

Gyoyoung Jin, el presidente de Samsung ha anunciado que la empresa ya ha puesto en marcha la producción en masa de nuevos chips de memoria DRAM usando la segunda generación de su proceso a 10 nm. Esta nueva tecnología permitirá aumentar la productividad en un 30% en comparación con el anterior proceso de fabricación a 10 nm, al mismo tiempo, el rendimiento aumentará un 10% mientras que la eficiencia energética lo hará en un 15%.

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Para lograr estas mejoras no se ha recurrido a la tecnología EUV, sino que que se han aplicado técnicas de diseño propietarias de Samsung. La compañía afirma que se han usado «espaciadores de aire» para disminuir la capacitación parasítica, lo que ha permitido reducir el uso excesivo de energía necesaria para aumentar el rendimiento de las celdas de memoria.

La nueva DRAM de segunda generación de 10nm de Samsung puede operar a 3.600 Mbps, ofreciendo una mejora sustancial sobre los 3.200 Mbps que ofrece la actual memoria. La próxima generación de memoria DDR4 de Samsung permitirá la producción de kits de memoria de alta velocidad con procesos de agrupamiento de IC menos extremos, lo que a su vez podría reducir el precio de la memoria DDR4 de alta velocidad.

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Esta nueva técnica no es exclusiva de la DDR4 sino que también se usará en futuros estándares de memoria DRAM como HBM3, DDR5, GDDR6 y LPDDR5. Samsung ya trabaja a marchas forzadas para traer estos nuevos tipos de memoria al mercado lo antes posible y reafianzar así una vez más su liderazgo en el sector.