Samsung ya tiene listo su proceso de fabricación a 8 nm

Samsung es uno de os líderes mundiales en la fabricación de chips de silicio y no tiene intención de tirar la toalla, el gigante surcoreano ya tiene listo un nuevo proceso de fabricación más refinado para mejorar las prestaciones de sus chips y los de terceros que recurran a su fundición.

Samsung ya tiene listos los 8 nm

Samsung ha revelado oficialmente que su nuevo proceso de fabricación a 8nm LPP (Low Power Plus) está listo para la producción de los primeros chips, este nuevo proceso ofrece hasta un 10% de aumento de rendimiento sobre el proceso actual de 10nm de la compañía y hasta un 10% de reducción de área de los transistores.

Este nodo es un refinamiento del nodo de producción de 10nm existente de Samsung, lo que hace que este proceso sea en realidad 10nm +, pero se aplica un cambio de nombre de cara al marketing, pues recordemos que no existe un estándar a la hora de medir el tamaño de los transistores por lo que cada fundición lo puede expresar de forma diferente. Esto hace que los procesos de fabricación de dos empresas puedan ser muy diferentes pese a ser aparentemente los mismos nm.

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Las ventajas de este nuevo nodo de proceso son el hecho de que se basa en la tecnología existente de Samsung, lo que permite a Samsung acelerar rápidamente la producción de 8nm adaptando su tecnología existente de 10 nm. Samsung también ha podido pasar la calificación con este nuevo nodo tres meses antes de lo previsto, lo que le permite a la compañía producir chips funcionales de 8nm antes de lo programado.

8nm será el nodo final de Samsung antes de su cambio a EUV (Extreme Ultra Violet) con su nodo de fabricación de 7nm, lo que establecerá una nueva era para la Ley de Moore, permitiendo a los fabricantes romper algunas de las limitaciones que han estado frustrando el progreso en la industria.

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7LPP será la primera tecnología de proceso de semiconductores en usar una solución de litografía EUV. El esfuerzo colaborativo de Samsung y ASML desarrolló 250W de potencia máxima de EUV, que es el hito más importante para la inserción de EUV en la producción de gran volumen. El despliegue de la litografía EUV romperá las barreras de la escala de leyes de Moore, allanando el camino para las generaciones de tecnología de semiconductores de nanómetros únicos.