La tecnología de almacenamiento SSD sigue mejorando a pasos de gigante y Samsung está al frente de la innovación, anunciando la quinta generación de V-NAND, que aumentará el número de capas hasta 96 con relativamente pocos otros cambios en el diseño. La quinta generación incluirá el primer flash QLC NAND de Samsung (cuatro bits por celda), con una capacidad de 1TB (128 GB) por die.
El año pasado, Samsung había anunciado su cuarta generación de 3D NAND, con diseño de 64 capas. Esta cuarta generación de V-NAND está ahora en producción y se utilizara en muchos productos en los próximos meses. La mayoría de los productos utilizarán matrices TLC de 256GB o 512GB. Comparado con el V-NAND de tercera generación de 48 capas, el V-NAND de 64 capas ofrece el mismo rendimiento de lectura, pero un rendimiento de escritura un 11% superior aproximadamente.
El consumo de energía se ha mejorado de forma ‘significativa’, con la corriente requerida para una operación de lectura disminuyendo un 12% y para una operación de programa el consumo de energía requerida ha disminuido un 25%. Samsung afirma que su V-NAND de 64 capas en una configuración TLC puede durar de 7.000 a 20.000 ciclos de programa / borrado, asi que con esta nueva memoria de 96 capas, las unidades tendrán un mayor tiempo de vida util.
Los anunciados SSD de Samsung basados en las tecnologías V-NAND anteriores incluyen un SSD SAS de 2.5′ de 128 TB basado en QLC. Para esta unidad, Samsung apilará 32 matrices por paquete, para un total de 4 TB en cada dispositivo BGA.
Este es un nuevo paso para, en un futuro no muy lejano, comenzar a jubilar las unidades de almacenamiento magnéticos.
Fuente: anandtech
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