El pasado mes de abril SK Hynix anunció su cuarta generación de memoria 3D NAND que alcanza 72 capas, lo que permite lograr una densidad de almacenamiento por chip de 256 Gb y ofrece un nivel de productividad similar a la memoria de 64 capas de Samsung.
Durante los siguientes tres meses el equipo de ingenieros de SK Hynix ha estado trabajando muy duro para mejorar la tasa de éxito en la fabricación de su nueva memoria de 72 capas, inicialmente el rendimiento era inferior al 50% por lo que había bastante preocupación.
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Finalmente SK Hynix ha logrado ganar la batalla después de un trabajo muy duro de todo su equipo, con ello el rendimiento de la fabricación de su memoria 3D NAND de 72 capas ha subido de forma espectacular y ya alcanza los niveles logrados por Samsung con sus chips de 64 capas. Samsung es el líder indiscutible en la fabricación de memoria por lo que haber alcanzado al gigante surcoreano es todo un logro.
[irp]SK Hynix también ha empezado a trabajar en su propia controladora para evitar la dependencia de las controladoras de terceros, con ello tiene todos los elementos para producir los SSD al completo, lo que supondrá un mayor margen de beneficios y una mayor competitividad.
Fuente: overclok3d
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