Discos duros y SSD

La memoria QLC de Toshiba tiene una durabilidad equivalente a la TLC

Toshiba no pasa por su mejor momento pero sigue siendo una de las empresas más importantes dentro del mundillo de la tecnología. El gigante japonés es uno de los más grandes fabricantes de memoria NAND a nivel mundial y recientemente ha anunciado su nueva tecnología de memoria NAND de cuádruple nivel, más conocida como QLC.

Toshiba mejora la expectativas de la industria sobre la QLC

La memoria QLC de Toshiba debería ayudar a reducir el ratio precio/almacenamiento de los dispositivos del futuro gracias a un aumento de la densidad de almacenamiento por cada euro invertido. Sin embargo, cada aumento en el número de celdas provoca preocupación entre los usuarios en cuanto el rendimiento y la durabilidad. Esto se debe a que un mayor número de estados por celda incrementa los pasos de voltaje que son aplicados, en el caso de la memoria SLC hay dos pasos de voltaje, en la memoria MLC hay cuatro pasos de voltaje, en la TLC hay ocho pasos de voltaje y el la QLC hay dieciséis pasos de voltaje.

Discos SSD con memorias TLC vs MLC

Un mayor número de pasos de voltaje tiende a hacer los errores más comunes y la longevidad de la celda se ve comprometida por la gran cantidad de variación entre sus estados, esto implica la necesidad de usar técnicas de corrección más poderosas para evitar los problemas.

De acuerdo con Toshiba, su nueva memoria QLC es capaz de soportar 1000 ciclos de borrado, un número que es muy cercano al que soporta la actual memoria TLC. Con ello Toshiba ha logrado aumentar en gran medida los 100-150 ciclos de borrado que la industria esperaba para la memoria QLC, todo un logro que muestra el gran empeño que ha puesto la japonesa.

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Toshiba ya ha empezado a enviar a sus partners las primeras muestras de la nueva memoria QLC para que puedan empezar a trabajar cuanto antes en los nuevos dispositivos que la implementen. Se espera que la producción en masa empiece a finales de 2018 o principios de 2019.

Fuente: techpowerup

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