SK Hynix presenta las memorias GDDR6 para las GPUs NVIDIA Volta en GTC 2017

SK Hynix anunció hace apenas unas semanas la disponibilidad de la tecnología GDDR6 para tarjetas gráficas de alta gama. Ahora, en el evento GTC 2017, la compañía ha presentado las obleas completas de las futuras memorias diseñadas para la próxima generación de tarjetas gráficas NVIDIA Volta.

El primer chip DRAM presentado por SK Hynix en GTC 2017 tiene la capacidad de 8Gb o 1 GB. SK Hynix planea lanzar unas capacidades superiores más adelante con hasta 16Gb o 2 GB en la segunda mitad del 2018.

SK Hynix presenta la primera oblea GDDR6 en GTC 2017

Viendo estas velocidades, sin lugar a dudas se trata de un enorme salto de los 12 Gbps (GDDR5X) a los 16 Gbps (GDDR5X). Las tarjetas gráficas NVIDIA GeForce GTX Titan Xp tienen el mayor ancho de banda de cualquier tarjeta gráfica para consumidores en este momento, con un total de 547.7 GB/s a través de sus chips GDDR5X de 11.4Gbps. La primera generación de los chips GDDR5X tenían 10Gbps en la GTX 1080, aunque esta tarjeta fue actualizada hace poco con unos chips DRAM de 11 Gbps.

En comparación, Fiji, la primera tarjeta gráfica con tecnología HBM, tenía un ancho de banda de 512 GB/s, mientras que la próxima AMD Vega contaría con un ancho de banda de 512 GB/s y un subsistema de cache optimizado. Por otro lado, una GPU Volta con una interfaz de memoria de 256 bits y chip GDDR6 a 16Gbps tendría un ancho de banda de 512 GB/s, mientras que un chip Volta de 384 bits y una velocidad similar alcanzaría un ancho de banda de 768 GB/s.

En pocas palabras, la tecnología GDDR aún tiene muchas ventajas frente a la HBM, sobre todo cuando se trata de los costes para su implementación y desarrollo.

Esperamos que tanto NVIDIA como AMD muestren su interés en trabajar con los fabricantes de memorias para entregar chips más rápidos en todos los segmentos del mercado, sobre todo en el sector de media gama, que está actualmente abarrotado de soluciones GDDR5.